DDR5內(nèi)存首發(fā):頻率5G,2020年量產(chǎn)

內(nèi)存顆粒生產(chǎn)廠商之一的SK海力士最近宣布已經(jīng)研發(fā)出了滿足JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的DDR5內(nèi)存顆粒，單顆容量高達(dá)2GB。

新的DDR5顆粒采用SK海力士自家的1Ynm工藝制造，電壓是標(biāo)準(zhǔn)的1.1V，相比于DDR4 1.2V可節(jié)省30%的功耗，同時(shí)工作頻率高達(dá)5200MHz，這已經(jīng)是目前很多DDR4內(nèi)存的極限超頻頻率了。

DDR5內(nèi)存最新消息

DDR5內(nèi)存什么時(shí)候出

市調(diào)機(jī)構(gòu)IDC的數(shù)據(jù)顯示，DDR5內(nèi)存需求將在2020年開(kāi)始抬升，2021年可占整個(gè)內(nèi)存市場(chǎng)的25%，2022年即高達(dá)44%，2023年就能成為市場(chǎng)主流。

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