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三星電子21日宣布,以12納米級工藝開發(fā)出16Gb DDR5 DRAM,并于近期完成了與AMD的兼容性驗證。
三星電子通過應(yīng)用具有高介電常數(shù) (K) 的新材料增加了存儲電荷的電容器的容量,并通過創(chuàng)新設(shè)計完成了業(yè)界最先進(jìn)的工藝以改善電路特性。
此外,采用多層EUV(極紫外光)曝光技術(shù),實現(xiàn)了業(yè)界最高水平的集成度。與上一代產(chǎn)品相比,12nm 級 DRAM 的生產(chǎn)率提高了約 20%。DDR5標(biāo)準(zhǔn)的這款產(chǎn)品最高支持7.2Gbps的運行速度。這是一個可以在一秒鐘內(nèi)處理兩部 30GB 超高清電影的速度。功耗較上一代提升約23%。
三星電子計劃通過提高性能和能效來擴展其 12 納米級 DRAM 產(chǎn)品線,并計劃將其供應(yīng)給數(shù)據(jù)中心、人工智能和下一代計算等各種應(yīng)用。