三星公布1000層V-NAND技術(shù) 比16G還小 世界看熱訊

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據(jù)了解，三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的高級(jí)管理人員最近在一個(gè)電子工程師協(xié)會(huì)的夏季會(huì)議上宣布，到2030年，V-NAND能夠疊加到1000多層。三星預(yù)測(cè)，V-NAND的競(jìng)爭(zhēng)將持續(xù)到1000層以上。三星從2013年開(kāi)始推出24層的V-NAND，十年來(lái)已經(jīng)發(fā)展到200多層。 值得一提的是，三星最初推出的V-NAND每個(gè)die的容量有128Gb（16GB），通過(guò)3D堆疊技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)最多24層die堆疊，也就是說(shuō)，24層堆疊的總?cè)萘繉⑦_(dá)到384GB。 三星的高管表示，正因?yàn)橛蠽-NAND的存在，才使得NAND的歷史能夠得以延續(xù)，這是韓國(guó)國(guó)家創(chuàng)造技術(shù)和生態(tài)系統(tǒng)的成功事例之一。他們還認(rèn)為，要推動(dòng)1000層的NAND技術(shù)，就像建設(shè)摩天大樓一樣，需要考慮坍塌、彎曲、斷裂等多方面的穩(wěn)定性問(wèn)題，同時(shí)還需要克服連接孔加工工藝、最小化電池干擾、縮短層高以及擴(kuò)大每層存儲(chǔ)容量等挑戰(zhàn)。

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